najoNanosystems: Physics, Chemistry, MathematicsНаносистемы: физика, химия, математика2220-80542305-7971Университет ИТМОnajo-1212Research ArticleСтатьиOptical functions and band gap of porous silicon at the energy 0,1–6,2 EvОптические функции и параметры зонной структуры тонких слоев пористого кремния в диапазоне энергий 0,1–6,2 эВЯнД. Т.YanD. T.

Хабаровск

dmitry_yan@mail.ruДальневосточный государственный университет путей сообщенияRussian Federation20111808202521116120Copyright © Yan D.T., 20252025Ян Д.Т.Yan D.T.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://nanojournal.ifmo.ru/jour/article/view/1212

.

Проведено исследование оптических свойств слоев пористого кремния, полученного на кристаллическом кремнии р-типа (100) методом анодного травления. Из оптических спектров на пропускание и отражение проведена оценка основных оптических характеристик пористого кремния. Установлено, что явление видимой фотолюминесценции пористого кремния обусловлено изменением параметров зонной структуры.

пористый кремнийфотолюминесценциярекомбинацияReferencesИоффе А.Ф. Физика полупроводников. М.: Изд-во АН СССР, 1957. 490 с.Иоффе А.Ф. Физика полупроводников. М.: Изд-во АН СССР, 1957. 490 с.Canham L.T. Visible photoluminescence of porous Si // Appl. Phys. Lett., 1990, 57, P. 1046–1049.Canham L.T. Visible photoluminescence of porous Si // Appl. Phys. Lett., 1990, 57, P. 1046–1049.Sawada S., Hamada N., Ookubo N. Mechanism of visible photoluminescence of porous silicon // Phys.Rev. B., 1994, 49, № 8, P. 5236–5245.Sawada S., Hamada N., Ookubo N. Mechanism of visible photoluminescence of porous silicon // Phys.Rev. B., 1994, 49, № 8, P. 5236–5245.Dimova-Malinovska D., Sendova-Vasileva, Marinova T., Krastev V., Kamenova M., Tzenov N. Correlation between the photoluminescence and chemical bonding in porous silicon // Thin Solid Films, 1996, 276, P. 290– 292.Dimova-Malinovska D., Sendova-Vasileva, Marinova T., Krastev V., Kamenova M., Tzenov N. Correlation between the photoluminescence and chemical bonding in porous silicon // Thin Solid Films, 1996, 276, P. 290– 292.Uhlir A. Formation of porous silicon // Bell Syst. Tech., 1956, 35, P. 333–336.Uhlir A. Formation of porous silicon // Bell Syst. Tech., 1956, 35, P. 333–336.Theib W. Optical properties of porous silicon // Surf. Sci. Rep., 1997, 29, № 5, P. 92–192.Theib W. Optical properties of porous silicon // Surf. Sci. Rep., 1997, 29, № 5, P. 92–192.Уханов Ю.А. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука. 1997, 252 с.Уханов Ю.А. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука. 1997, 252 с.Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высш. школа, 1977, 448 с.Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высш. школа, 1977, 448 с.Горбачев В.В., Спицина Л.Г. Физика полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1976. 368 с.Горбачев В.В., Спицина Л.Г. Физика полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1976. 368 с.Cantin J. L. et al. Anodic oxidation of 𝑝− and p+-type porous silicon // Thin Solid Films, 1996, 276, № 3, P.76–79.Cantin J. L. et al. Anodic oxidation of 𝑝− and p+-type porous silicon // Thin Solid Films, 1996, 276, № 3, P.76–79.Belmont O. et al. About the origin and the mechanisms involved in the cracking of highly porous silicon layers under capillary stresses // Thin Solid Films, 1996, 276, № 3, P. 219–222.Belmont O. et al. About the origin and the mechanisms involved in the cracking of highly porous silicon layers under capillary stresses // Thin Solid Films, 1996, 276, № 3, P. 219–222.Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. О механизме образования пористого кремния // Физ. и техн. полупроводн., 2000, 34, Вып. 5, С. 1130-1134.Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. О механизме образования пористого кремния // Физ. и техн. полупроводн., 2000, 34, Вып. 5, С. 1130-1134.Petrova-Koch V., Muschik T. The relation between the visible and the infrared luminescence bands in porous silicon // Thin Solid Films, 1995, 255, № 5, P. 246-249.Petrova-Koch V., Muschik T. The relation between the visible and the infrared luminescence bands in porous silicon // Thin Solid Films, 1995, 255, № 5, P. 246-249.Кашкаров П.К., Константинова Е.А., С. А. Петрова, Тимошенко В.Ю. Юнович А.Э. К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния // Физ. и техн. полупроводн., 1997, Т. 31, Вып. 6, С. 745–748.Кашкаров П.К., Константинова Е.А., С. А. Петрова, Тимошенко В.Ю. Юнович А.Э. К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния // Физ. и техн. полупроводн., 1997, Т. 31, Вып. 6, С. 745–748.Ян Д.Т. Влияние лазерного возбуждения на фотолюминесценцию анодно окисленного пористого кремния // Опт. журнал, 2010, 77, № 8, C. 67–71.Ян Д.Т. Влияние лазерного возбуждения на фотолюминесценцию анодно окисленного пористого кремния // Опт. журнал, 2010, 77, № 8, C. 67–71.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.