najoNanosystems: Physics, Chemistry, MathematicsНаносистемы: физика, химия, математика2220-80542305-7971Университет ИТМОnajo-1384Research ArticlePHYSICSФИЗИКАInvestigation of the electron-phonon interaction in structures InAs/AlSb in quantization magnetic fields regimeИсследование электрон-фононного взаимодействия в структурах InAs/AlSb в режиме квантующих магнитных полейАфанасоваМ. М.AfanasovaM. M.

Афанасова Марина Михайловна, старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук390013 г.Рязань, пл. Димитрова, д.3, корп.2, кв.7 8(4912)983917 8(4912)280586 89109047199 

Afanasova Marina, senior staff scientist, doctor of physico-mathematical Sciences 390013, Ryazan, Dimitrova 3/2, 78(4912)9839178(4912)28058689109047199

m.afanasova@rsu.edu.ruСтепановВ. А.StepanovV. A.

Степанов Владимир Анатольевич, профессор, заведующий кафедрой общей, теоретической физики и МПФ, доктор физико-математических наук  г.Рязань, ул. Свободы, д.46, кв.7 8(4912)280586 8(4912)280586 89109047199 

Stepanov Vladimir, professor, doctor of physico-mathematical SciencesRyazan, Svoboda, 46 8(4912)280586 8(4912)280586 89109047199 

v.stepanov@rsu.edu.ruКоржавчиковМ. А.KorgavchikovM. A.

Коржавчиков Максим Алексеевич, инженерг.Рязань, ул. Свободы, д.468(4912)280586 Домашний телефон8(4912)280586 Рабочий телефон89206317278 Мобильный телефон

Korgavchikov Maksim, EngineerRyazan, Svoboda, 468(4912)2805868(4912)280586 89206317278 

m.korgavchikov@rsu.edu.ruРязанский государственный университет имени С.А. Есенина, Рязань, РоссияRyazan State university named by S.A. Esenin201224082025363646Copyright © Afanasova M.M., Stepanov V.A., Korgavchikov M.A., 20252025Афанасова М.М., Степанов В.А., Коржавчиков М.А.Afanasova M.M., Stepanov V.A., Korgavchikov M.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://nanojournal.ifmo.ru/jour/article/view/1384

Study of transverse magnetoresistance oscillations ρxx(B)  were performed for InAs/AlSb samples with different doping level at temperatures T=(4÷28)К. Based on test of magnetic field dependence amplitude ρxx(B)  the formation dynamic of Landau quantization destruction was established. The components of the electron-electron and the electron-phonon interactions were marked out and the relaxation time τq(τee, τe−ph) evaluated. On the base of physical model of electron interaction the role of electron-phonon relaxation was revealed as a factor, which stabilize the process  of Landau quantization destruction. Experimental nonlinear dependence τq(T) is explained by electron scattering on piezoelectric and deformation potential of acoustic phonons and channels competition inter-(intra-) subband scattering. Parametric dependence of quantum relaxation time from magnetic field τq ∝ B−0.6 was established.

Выполнены исследованияосцилляций поперечного магнитосопротивления ρxx(B) дляобразцов InAs/AlSb с различным уровнем легированияпри температурах T=(4÷28)К. На основе анализа магнитополевой зависимости амплитуды ρxx(B) установлена динамика формированияразрушенияквантованияЛандау. Выделены компоненты электрон-электронного, электрон-фононного взаимодействияи выполнены оценки времен релаксации τq(τee, τe−ph). На основе физической модели взаимодействияэлектронов выявлена роль электрон-фононной релаксации как фактора, стабилизирующего процесс разрушенияквантованияЛандау. Экспериментальнаянелинейнаязависимость τq(T) объяснена рассеянием электронов на пьезоэлектрическом и деформационном потенциале акустических фононов и конкуренцией каналов внутриподзонного и межподзонного рассеяния. Установлена параметрическая зависимость квантового времени релаксации от магнитногополя τq ∝ B−0.6.

двумерный электронный газвремя релаксацииэлектрон-фононное взаимодействиемагнитотранспорт2D electron gasrelaxation timeelectron-phonon interactionmagnetoresistanceReferencesАфанасова М.М., Степанов В.А. Сравнительный анализ параметров и свойств вырожденного электронного газа. Вестник РГРТУ, 2007, 22, 52-59.Афанасова М.М., Степанов В.А. Сравнительный анализ параметров и свойств вырожденного электронного газа. Вестник РГРТУ, 2007, 22, 52-59.Алешкин В.Я., Гавриленко В.И. Иконников А.В., Садофьев Ю.Г. и др. Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs/AlSb c квантовыми ямами. ФТП, 2000, 39(1), 71-74.Алешкин В.Я., Гавриленко В.И. Иконников А.В., Садофьев Ю.Г. и др. Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs/AlSb c квантовыми ямами. ФТП, 2000, 39(1), 71-74.Dingle R.B., Somemagnetic properties of metals. Proc.Roy.Soc.A, 1952, 211, 517-525Dingle R.B., Somemagnetic properties of metals. Proc.Roy.Soc.A, 1952, 211, 517-525Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. Band parameters for III-IV compound semiconductors and their alloys. J.Appl. Phys. Rev, 2001, 89, 5824-5826.Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. Band parameters for III-IV compound semiconductors and their alloys. J.Appl. Phys. Rev, 2001, 89, 5824-5826.Быстров С.Д., Крещук А.М., Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г. Квантовое и классической времена релаксации и свойства гетерограницы в селективно легированных гетероструктурах. ФТП, 1993, 27(4), 645-653.Быстров С.Д., Крещук А.М., Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г. Квантовое и классической времена релаксации и свойства гетерограницы в селективно легированных гетероструктурах. ФТП, 1993, 27(4), 645-653.Guillemot G., Baudet M., Gauneau M., Regreny A. Temperature dependence of electron mobility in GaAs-GaAlAs modulation doped quantum. Phys. Rev.B, 1987, 35, 2799-2807.Guillemot G., Baudet M., Gauneau M., Regreny A. Temperature dependence of electron mobility in GaAs-GaAlAs modulation doped quantum. Phys. Rev.B, 1987, 35, 2799-2807.Sigmund J., Saglam M., Hartnagel H.L., Zverev V.N. Structural and transport characterization of AlSb/InAs quantum-well structures grown by molecular-beam epitaxy with two growth inttteruptions. J.Vac.Sci. Technol. B, 2002, 20(3), 1174-1177.Sigmund J., Saglam M., Hartnagel H.L., Zverev V.N. Structural and transport characterization of AlSb/InAs quantum-well structures grown by molecular-beam epitaxy with two growth inttteruptions. J.Vac.Sci. Technol. B, 2002, 20(3), 1174-1177.Карпус В. Энергетическая и импульсная релаксация двумерных носителей заряда при взаимодействии с деформационными акустическими фононами. ФТП, 1986, 20, 12-18.Карпус В. Энергетическая и импульсная релаксация двумерных носителей заряда при взаимодействии с деформационными акустическими фононами. ФТП, 1986, 20, 12-18.Кадушкин В.И. Электрон-фононный фактор затухания квантования Ландау 2D электронов с тонкой структурой энергетического спектра. ФТП, 2004, 38(4),412-416Кадушкин В.И. Электрон-фононный фактор затухания квантования Ландау 2D электронов с тонкой структурой энергетического спектра. ФТП, 2004, 38(4),412-416Афанасова М.М., Степанов В.А. Роль электрон - электронного и электрон-фононного взаимодействия в процессе квантования Ландау в наноструктурах InAs/AlSb. Известия вузов. Физика, 2009, 8 , 20-24.Афанасова М.М., Степанов В.А. Роль электрон - электронного и электрон-фононного взаимодействия в процессе квантования Ландау в наноструктурах InAs/AlSb. Известия вузов. Физика, 2009, 8 , 20-24.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.