Thin films of Tin (Sn) doped Cadmium Sulfide (CdS) have been grown by chemical bath deposition technique. It was observed that all fabricated thin films (doped & undoped) were polycrystalline with nanoscaled crystallites and cubic crystal structure of CdS. SEM micrographs show nanorod structure of CdS and Sn doped CdS. EDS analysis shows the deficiency of sulfur and excess of cadmium in the films. UV-VIS spectroscopy confirms increase in band gap with doping of the films. Microstructural analysis shows that the particle size increases with increasing concentration of the Sn on excitation with 483 nm. The gravimetric analysis shows that the thickness of the pure CdS thin film measured is 134.41 nm, which increases with doping concentrations of tin. Electrical conductivity measurements show that the material switches its Negative Temperature Coefficient (NTC) to Positive Temperature Coefficient (PTC) nature with increase in temperature. TEP measurements show n type semiconducting nature of the films which is highly photo sensitive. The pure CdS thin film was observed to be less sensitive to the green light, however, the Sn (3 wt%) doped CdS thin films exhibit enhanced photo response particularly to green light.
Тонкие пленки сульфида кадмия (CdS), легированного оловом (Sn), были выращены методом химического осаждения. Было замечено, что все тонкие пленки (легированные и нелегированные) были поликристаллическими с наноразмерными кристаллитами и кубической кристаллической структурой CdS. Согласно данным СЭМ CdS и CdS, легированный Sn представляют собой наностержни. Анализ ЭДС показывает дефицит серы и избыток кадмия в пленках. Спектроскопия UV-VIS подтверждает увеличение ширины запрещенной зоны при легировании пленок. Микроструктурный анализ показывает, что размер частиц увеличивается с увеличением концентрации Sn. Гравиметрический анализ показывает, что толщина тонкой пленки чистого CdS составляет 134 нм и увеличивается с увеличением концентрации легирующего олова. Измерения электропроводности показывают, что материал меняет свой отрицательный температурный коэффициент на положительный температурный коэффициент при повышении температуры. Измерения ТЭП показывают полупроводниковую природу пленок n-типа, которая обладает высокой светочувствительностью. Было обнаружено, что тонкая пленка чистого CdS менее чувствительна к зеленому свету, однако тонкие пленки CdS, легированные оловом (3 мас.%), демонстрируют повышенный фотоотклик, особенно на зеленый свет.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.