Optical functions and band gap of porous silicon at the energy 0,1–6,2 Ev

1. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников. М.: Изд-во АН СССР, 1957. 490 с.

2. Canham L.T. Visible photoluminescence of porous Si // Appl. Phys. Lett., 1990, 57, P. 1046–1049.

3. Sawada S., Hamada N., Ookubo N. Mechanism of visible photoluminescence of porous silicon // Phys.Rev. B., 1994, 49, № 8, P. 5236–5245.

4. Dimova-Malinovska D., Sendova-Vasileva, Marinova T., Krastev V., Kamenova M., Tzenov N. Correlation between the photoluminescence and chemical bonding in porous silicon // Thin Solid Films, 1996, 276, P. 290– 292.

5. Uhlir A. Formation of porous silicon // Bell Syst. Tech., 1956, 35, P. 333–336.

6. Theib W. Optical properties of porous silicon // Surf. Sci. Rep., 1997, 29, № 5, P. 92–192.

7. Уханов Ю.А. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука. 1997, 252 с.

8. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высш. школа, 1977, 448 с.

9. Горбачев В.В., Спицина Л.Г. Физика полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1976. 368 с.

10. Cantin J. L. et al. Anodic oxidation of 𝑝− and p+-type porous silicon // Thin Solid Films, 1996, 276, № 3, P.76–79.

11. Belmont O. et al. About the origin and the mechanisms involved in the cracking of highly porous silicon layers under capillary stresses // Thin Solid Films, 1996, 276, № 3, P. 219–222.

12. Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. О механизме образования пористого кремния // Физ. и техн. полупроводн., 2000, 34, Вып. 5, С. 1130-1134.

13. Petrova-Koch V., Muschik T. The relation between the visible and the infrared luminescence bands in porous silicon // Thin Solid Films, 1995, 255, № 5, P. 246-249.

14. Кашкаров П.К., Константинова Е.А., С. А. Петрова, Тимошенко В.Ю. Юнович А.Э. К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния // Физ. и техн. полупроводн., 1997, Т. 31, Вып. 6, С. 745–748.

15. Ян Д.Т. Влияние лазерного возбуждения на фотолюминесценцию анодно окисленного пористого кремния // Опт. журнал, 2010, 77, № 8, C. 67–71.