Исследование электрон-фононного взаимодействия в структурах InAs/AlSb в режиме квантующих магнитных полей
Аннотация
Выполнены исследованияосцилляций поперечного магнитосопротивления ρxx(B) дляобразцов InAs/AlSb с различным уровнем легированияпри температурах T=(4÷28)К. На основе анализа магнитополевой зависимости амплитуды ρxx(B) установлена динамика формированияразрушенияквантованияЛандау. Выделены компоненты электрон-электронного, электрон-фононного взаимодействияи выполнены оценки времен релаксации τq(τee, τe−ph). На основе физической модели взаимодействияэлектронов выявлена роль электрон-фононной релаксации как фактора, стабилизирующего процесс разрушенияквантованияЛандау. Экспериментальнаянелинейнаязависимость τq(T) объяснена рассеянием электронов на пьезоэлектрическом и деформационном потенциале акустических фононов и конкуренцией каналов внутриподзонного и межподзонного рассеяния. Установлена параметрическая зависимость квантового времени релаксации от магнитного
поля τq ∝ B−0.6.
Об авторах
М. М. Афанасова
Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина, Рязань, Россия
Россия
Россия
Афанасова Марина Михайловна, старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук
390013 г.Рязань, пл. Димитрова, д.3, корп.2, кв.7
8(4912)983917
8(4912)280586
89109047199
В. А. Степанов
Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина, Рязань, Россия
Россия
Россия
Степанов Владимир Анатольевич, профессор, заведующий кафедрой общей, теоретической физики и МПФ, доктор физико-математических наук
г.Рязань, ул. Свободы, д.46, кв.7
8(4912)280586
8(4912)280586
89109047199
М. А. Коржавчиков
Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина, Рязань, Россия
Россия
Россия
Коржавчиков Максим Алексеевич, инженер
г.Рязань, ул. Свободы, д.46
8(4912)280586 Домашний телефон
8(4912)280586 Рабочий телефон
89206317278 Мобильный телефон
Список литературы
1. Афанасова М.М., Степанов В.А. Сравнительный анализ параметров и свойств вырожденного электронного газа. Вестник РГРТУ, 2007, 22, 52-59.
2. Алешкин В.Я., Гавриленко В.И. Иконников А.В., Садофьев Ю.Г. и др. Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs/AlSb c квантовыми ямами. ФТП, 2000, 39(1), 71-74.
3. Dingle R.B., Somemagnetic properties of metals. Proc.Roy.Soc.A, 1952, 211, 517-525
4. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. Band parameters for III-IV compound semiconductors and their alloys. J.Appl. Phys. Rev, 2001, 89, 5824-5826.
5. Быстров С.Д., Крещук А.М., Новиков С.В., Полянская Т.А., Савельев И.Г. Квантовое и классической времена релаксации и свойства гетерограницы в селективно легированных гетероструктурах. ФТП, 1993, 27(4), 645-653.
6. Guillemot G., Baudet M., Gauneau M., Regreny A. Temperature dependence of electron mobility in GaAs-GaAlAs modulation doped quantum. Phys. Rev.B, 1987, 35, 2799-2807.
7. Sigmund J., Saglam M., Hartnagel H.L., Zverev V.N. Structural and transport characterization of AlSb/InAs quantum-well structures grown by molecular-beam epitaxy with two growth inttteruptions. J.Vac.Sci. Technol. B, 2002, 20(3), 1174-1177.
8. Карпус В. Энергетическая и импульсная релаксация двумерных носителей заряда при взаимодействии с деформационными акустическими фононами. ФТП, 1986, 20, 12-18.
9. Кадушкин В.И. Электрон-фононный фактор затухания квантования Ландау 2D электронов с тонкой структурой энергетического спектра. ФТП, 2004, 38(4),412-416
10. Афанасова М.М., Степанов В.А. Роль электрон - электронного и электрон-фононного взаимодействия в процессе квантования Ландау в наноструктурах InAs/AlSb. Известия вузов. Физика, 2009, 8 , 20-24.
Рецензия
Для цитирования:
Афанасова М.М., Степанов В.А., Коржавчиков М.А. Исследование электрон-фононного взаимодействия в структурах InAs/AlSb в режиме квантующих магнитных полей. Наносистемы: физика, химия, математика. 2012;3(6):36-46.
For citation:
Afanasova M.M., Stepanov V.A., Korgavchikov M.A. Investigation of the electron-phonon interaction in structures InAs/AlSb in quantization magnetic fields regime. Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. 2012;3(6):36-46. (In Russ.)
Просмотров:
24
Послать статью по эл. почте 