Nanosystems: Phys. Chem. Math., 2025, 16 (1), 44–50
Synthesis and characterization of InGaZn2O5 obtained by nitrate-tartrate complex decomposition method
Gelena M. Boleiko – Moscow Institute of Physics and Technology Institutsky lane, 9, Dolgoprudny, 141701, Russia; boleiko.gm@mipt.ru
Gleb M. Zirnik – Moscow Institute of Physics and Technology Institutsky lane, 9, Dolgoprudny, 141701, Russia; glebanaz@mail.ru
Andrey I. Kovalev – Moscow Institute of Physics and Technology Institutsky lane, 9, Dolgoprudny, 141701; South Ural State University, Lenin Av., 76, Chelyabinsk, 454080, Russia; asp23kai165@susu.ru
Daniil A. Uchaev – South Ural State University, Lenin Av., 76, Chelyabinsk, 454080, Russia; uchaevda@susu.ac.ru
Ibrohimi A. Solizoda – Moscow Institute of Physics and Technology Institutsky lane, 9, Dolgoprudny, 141701; St. Petersburg State University; Universitetskaya embankment, 7-9, 199034, St. Petersburg, Russia; Tajik National University Rudaki Av., 17, Dushanbe, 734025, Tajikistan; solizoda.ia@mipt.ru
Alexander S. Chernukha – Moscow Institute of Physics and Technology Institutsky lane, 9, Dolgoprudny, 141701; South Ural State University, Lenin Av., 76, Chelyabinsk, 454080, Russia; chernukha.as@mipt.ru
Svetlana A. Gudkova – Moscow Institute of Physics and Technology Institutsky lane, 9, Dolgoprudny, 141701; St. Petersburg State University Universitetskaya embankment, 7-9, 199034, St. Petersburg, Russia; svetlanagudkova@yandex.ru
Denis A. Vinnik – Moscow Institute of Physics and Technology Institutsky lane, 9, Dolgoprudny, 141701; South Ural State University, Lenin Av., 76, Chelyabinsk, 454080; St. Petersburg State University Universitetskaya embankment, 7-9, 199034, St. Petersburg, Russia; vinnik.da@mipt.ru
Corresponding author: D. A. Vinnik, vinnik.da@mipt.ru
DOI 10.17586/2220-8054-2025-16-1-44-50
ABSTRACT The study for the first time presents a method for producing indium-gallium-zinc oxide InGaZn2O5 using the nitrate-tartrate complex decomposition method. The material is characterized by X-ray diffraction, electron microscopy, IR- and UV-spectroscopy. It has been established that the use of tartaric acid as a precursor already at a temperature of 500 °C leads to the formation of a single-phase homogeneous material consisting of nanocrystalline particles in the form of micrometer agglomerates. The proposed method for producing nanoparticles can be used in the future to produce semiconductor inks based on IGZO.
KEYWORDS indium-gallium-zinc oxide, InGaZn2O5, IGZO, nanoparticles
ACKNOWLEDGEMENTS The research is supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, project No 075-15-2024-560.
FOR CITATION Boleiko G.M., Zirnik G.M., Kovalev A.I., Uchaev D.A., Solizoda I.A., Chernukha A.S., Gudkova S.A., Vinnik D.A. Synthesis and characterization of InGaZn2O5 obtained by nitrate-tartrate complex decomposition method. Nanosystems: Phys. Chem. Math., 2025, 16 (1), 44–50.
[In Russian] Болейко Г.М., Зирник Г.М., Ковалёв А.И., Учаев Д.А., Солизода И.А., Чернуха А.С., Гудкова С.А., Винник Д.А.
Синтез и характеризация InGaZn2O5 полученного методом разложения нитратно-тартратного комплекса
АННОТАЦИЯ В работе впервые представлен способ получения оксида индия-галлия-цинка методом разложения нитратно-тартратного комплекса. Материал охарактеризован методами рентгеновской дифракции, электронной микроскопии, ИК- и УФ-спектроскопии. Установлено, что использование в качестве прекурсора винной кислоты уже при температуре 500 °С приводит к образованию однофазного однородного материала, состоящего из нанокристаллических частиц в виде микрометровых агломератов. Предложенный способ получения наночастиц может быть в дальнейшем использован для получения полупроводниковых чернил на основе IGZO.
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА оксид индия-галлия-цинка, InGaZn2O5, IGZO, наночастицы
