НАНОСИСТЕМЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, МАТЕМАТИКА, 2011, 2 (4), С. 78–99
ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА СТРУКТУРУ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ШЕВРОННЫХ СМЕКТИКОВ C∗
K. G. Chernyak – Saint Petersburg State University, Department of Physics, Saint Petersburg, Russia, spiritus00@gmail.com
V. P. Romanov – Saint Petersburg State University, Department of Physics, Saint Petersburg, Russia, vpromanov@mail.ru
S. V. Ulyanov – St. Petersburg Institute Commerce and Economics, Saint Petersburg, Russia, ulyanov_sv@mail.ru
Проведено теоретическое описание ориентации директора и слоевой структуры шевронного сегнетоэлектрического смектика C∗ в ограниченной ячейке во внешнем электрическом поле. В подобных системах, обладающих ориентационной бистабильностью, были рассчитаны пространственные распределения директора. В слабых электрических полях описан переход между двумя равновесными конфигурациями при изменении величины и направления внешнего поля, который имеет характер гистерезиса. Оценена величина порогового поля, приводящего к переориентации директора. Расчеты показали, что изменение слоевой структуры происходит лишь в сильных полях, когда нельзя пренебрегать квадратичным по полю вкладом в свободную энергию. В этом случае была рассчитана пространственная и ориентационная структура шевронного смектика C∗ при различных соотношениях между главными значениями тензора диэлектрической проницаемости. Показано, что в некоторых случаях увеличение внешнего поля должно приводить к переходу к структуре «книжной полки».
Ключевые слова: шевронный сегнетоэлектрический смектик, тонкие пленки, бистабильность, пороговые поля.
УДК 532.22, 532.23
PACS 61.30.Dk, 61.30.Gd, 42.79.Hp, 42.70.Df