НАНОСИСТЕМЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, МАТЕМАТИКА, 2012, 3 (6), С. 36–46
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В СТРУКТУРАХ InAs/AlSb В РЕЖИМЕ КВАНТУЮЩИХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ
М. М. Афанасова – Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина, Рязань, Россия; m.afanasova@rsu.edu.ru
В. А. Степанов – Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина, Рязань, Россия
М. А. Коржавчиков – Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина, Рязань, Россия
Выполнены исследования осцилляций поперечного магнитосопротивления ρxx(B) для образцов InAs/AlSb с различным уровнем легирования при температурах T=(4÷28)К. На основе анализа магнитополевой зависимости амплитуды ρxx(B) установлена динамика формирования разрушения квантования Ландау. Выделены компоненты электрон-электронного, электрон-фононного взаимодействия и выполнены оценки времен релаксации τq(τee, τe−ph). На основе физической модели взаимодействия электронов выявлена роль электрон-фононной релаксации как фактора, стабилизирующего процесс разрушения квантования Ландау. Экспериментальная нелинейная зависимость τq(T) объяснена рассеянием электронов на пьезоэлектрическом и деформационном потенциале акустических фононов и конкуренцией каналов внутриподзонного и межподзонного рассеяния. Установлена параметрическая зависимость квантового времени релаксации от магнитного поля τq ∝ B−0.6.
Ключевые слова: двумерный электронный газ, время релаксации, электрон-фононное взаимодействие, магнитотранспорт.
УДК 621.315.592