Nanosystems: Phys. Chem. Math., 2025, 16 (2), 199–208.
Thermal and magnetic properties and density of state of in 3D SnTe (001) surface state under combined exchange and strain effects
Khaled Abdulhaq – Physics department, An-Najah National University, Nablus, Palestine
Mohammad K. Elsaid – Physics department, An-Najah National University, Nablus, Palestine
Diana Dahliah – Physics department, An-Najah National University, Nablus, Palestine; diana.dahliah@najah.edu
Corresponding author: Mohammad K. Elsaid, mkelsaid@najah.edu; Diana Dahliah, diana.dahliah@najah.edu
DOI 10.17586/2220-8054-2025-16-2-199-208
ABSTRACT This paper presents a comprehensive investigation of the essential properties of topological insulator materials like electronic, thermal, and magnetic quantities. We considered crystalline topological insulators tin telluride (SnTe), deposited on a magnetic substrate material. The anisotropic mass Hamiltonian is considered to obtain eigenenergy spectra expression in the presence of exchange proximity and strain effects. We showed that the strain has an important effect in shifting the position of the valley or Dirac points in the reciprocal space; an important result that leads to significant role in using the topological material as an electronic component in the new hot research area called valley electronics. We displayed the dependences of the computed density of states, heat capacity, and the magnetic susceptibility of the crystalline topological material, SnTe, on the Hamiltonian physical parameters.
KEYWORDS topology, SnTe, thermal properties, magnetic properties
FOR CITATION Abdulhaq K., Elsaid M.K., Dahliah D. Thermal and magnetic properties and density of state of in 3D SnTe (001) surface state under combined exchange and strain effects. Nanosystems: Phys. Chem. Math., 2025, 16 (2), 199–208.
[In Russian] Халед Абдулхак, Мохаммад К. Эльсаид, Диана Далия
Тепловые и магнитные свойства и плотность состояний в 3D поверхностном состоянии SnTe (001) при комбинированных эффектах обмена и деформации
АННОТАЦИЯ В этой статье представлено всестороннее исследование основных свойств, таких как электронные, тепловые и магнитные, топологических изоляторов. Мы рассмотрели кристаллические топологические изоляторы теллурида олова (SnTe), нанесенные на магнитный материал подложки. Анизотропный массовый гамильтониан рассматривается для получения выражения спектра энергии при наличии эффектов обмена и деформации. Мы показали, что деформация оказывает важное влияние на смещение положения точек долины или Дирака в обратном пространстве; важный результат, который приводит к значительной роли в использовании топологического материала в качестве электронного компонента в новой актуальной области исследований, называемой электроникой долин. Мы показали зависимости вычисленной плотности состояний, теплоемкости и магнитной восприимчивости кристаллического топологического материала SnTe от физических параметров гамильтониана.
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА Топология, SnTe, Тепловые свойства, Магнитные свойства
