Nanosystems: Phys. Chem. Math., 2023, 14 (1), 86–88
Electrical properties of “metal-carbon film” contact
Rostyslav V. Shalayev – Galkin Donetsk Institute for Physics and Engineering, Donetsk, Russia; sharos@donfti.ru
Anatoliy I. Izotov – Galkin Donetsk Institute for Physics and Engineering, Donetsk, Russia; izotov.anatoli@gmail.com
Vladimir V. Syrotkin – Galkin Donetsk Institute for Physics and Engineering, Donetsk, Russia; vladir.52@mail.ru
Corresponding author: Rostyslav V. Shalayev, sharos@donfti.ru
PACS 81.15.Gh; 84.37.+q; 85.30.Hi
DOI 10.17586/2220-8054-2023-14-1-86-88
ABSTRACT Magnetron sputtering was used to obtain carbon films on of metal substrates of two types: titanium and tool chromium steel. The temperature dependence of the resistance of the films, which has a semiconductor character, has been studied. The current-voltage characteristics of the metal-carbon film contact were determined, which indicate the presence of the Schottky barrier junction.
KEYWORDS carbon film, magnetron sputtering, metal-semiconductor contact, Schottky barrier.
FOR CITATION Shalayev R.V., Izotov A.I., Syrotkin V.V. Electrical properties of “metal-carbon film” contact. Nanosystems: Phys. Chem. Math., 2023, 14 (1), 86–88.
[In Russian] Р.В.Шалаев, А.И.Изотов, В.В.Сироткин
Электрические свойства контакта “металл-углеродная пленка”
АННОТАЦИЯ Методом магнетронного распыления получены графитоподобные пленки на двух видах металлических подложек: титан и инструментальная хромистая сталь. Изучена температурная зависимость сопротивления пленок, которая носит полупроводниковый характер. Также получены вольт-амперные характеристики контакта металл-графитоподобная пленка, которые свидетельствуют о наличии перехода с барьером Шоттки.
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА углеродная пленка, магнетронное распыление, контакт металл-полупроводник, барьер Шоттки
